這些年里，在這些規(guī)定范圍中保持處理空氣過程，使我們必需承擔(dān)資金和營(yíng)運(yùn)費(fèi)用。但是為什么值得花費(fèi)這么多錢用在潔凈室中控制相對(duì)濕度呢？
相對(duì)濕度在40%至60%的范圍同樣也是人類感覺舒適的適度范圍。濕度過高會(huì)使人覺得氣悶，而濕度低于30%則會(huì)讓人感覺干燥，皮膚皸裂，呼吸道不適以及情感上的不快。
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相對(duì)濕度是潔凈室運(yùn)作過程中一個(gè)常用的環(huán)境控制條件。半導(dǎo)體潔凈室中的典型的相對(duì)濕度的目標(biāo)值大約控制在30至50%的范圍內(nèi)，允許誤差在±1%的狹窄的范圍內(nèi)，例如光刻區(qū)──或者在遠(yuǎn)紫外線處理（DUV）區(qū)甚至更小──而在其他地方則可以放松到±5%的范圍內(nèi)。?
道理很簡(jiǎn)單！因?yàn)橄鄬?duì)濕度有一系列可能使?jié)崈羰铱傮w表現(xiàn)下降的因素，其中包括：
● 細(xì)菌生長(zhǎng)；
● 工作人員感到室溫舒適的范圍；
● 出現(xiàn)靜電荷；
● 金屬腐蝕；
● 水汽冷凝；
● 光刻的退化；
● 吸水性。
細(xì)菌和其他生物污染（霉菌，病毒，真菌，螨蟲）在相對(duì)濕度超過60%的環(huán)境中可以活躍地繁殖。一些菌群在相對(duì)濕度超過30%時(shí)就可以增長(zhǎng)。在相對(duì)濕度處于40%至60%的范圍之間時(shí)，可以使細(xì)菌的影響以及呼吸道感染降至最低。
高濕度實(shí)際上減小了潔凈室表面的靜電荷積累──這是人們希望的結(jié)果。較低的濕度比較適合電荷的積累并成為潛在的具有破壞性的靜電釋放源。當(dāng)相對(duì)濕度超過50%時(shí)，靜電荷開始迅速消散，但是當(dāng)相對(duì)濕度小于30%時(shí)，它們可以在絕緣體或者未接地的表面上持續(xù)存在很長(zhǎng)一段時(shí)間。
相對(duì)濕度在35%到40%之間可以作為一個(gè)令人滿意的折中，半導(dǎo)體潔凈室一般都使用額外的控制裝置以限制靜電荷的積累。
很多化學(xué)反應(yīng)的速度，包括腐蝕過程，將隨著相對(duì)濕度的增高而加快。所有暴露在潔凈室周圍空氣中的表面都很快地被覆蓋上至少一層單分子層的水。當(dāng)這些表面是由可以與水反應(yīng)的薄金屬涂層組成時(shí)，高濕度可以使反應(yīng)加速。幸運(yùn)的是，一些金屬，例如鋁，可以與水形成一層保護(hù)型的氧化物，并阻止進(jìn)一步的氧化反應(yīng)；但另一種情況是，例如氧化銅，是不具有保護(hù)能力的，因此，在高濕度的環(huán)境中，銅制表面更容易受到腐蝕。
在相對(duì)濕度較高的環(huán)境中，濃縮水形的毛細(xì)管力在顆粒和表面之間形成了連接鍵，可以增加顆粒與硅質(zhì)表面的黏附力。這種效應(yīng)──凱爾文濃縮──當(dāng)相對(duì)濕度小于50%時(shí)并不重要，但當(dāng)相對(duì)濕度在70%左右時(shí)，就成為顆粒之間黏附的主要力量。
實(shí)際上，相對(duì)濕度和溫度對(duì)于光刻膠穩(wěn)定性以及精確的尺寸控制都是很關(guān)鍵的。甚至是在恒溫條件下，光刻膠的粘性將隨著相對(duì)濕度的上升而迅速下降。當(dāng)然，改變粘性，就會(huì)改變由固定組分涂層形成的保護(hù)膜的厚度。參考兩個(gè)城市，一個(gè)試驗(yàn)證實(shí)，相對(duì)濕度的3%的變異將使保護(hù)厚度改變59.2 A （原文如此）。
此外，在高的相對(duì)濕度環(huán)境下，由于水分的吸收，使烘烤循環(huán)后光刻膠膨脹加重。光刻膠附著力同樣也可以受到較高的相對(duì)濕度的負(fù)面影響；較低的相對(duì)濕度（約30%）使光刻膠附著更加容易，甚至不需要聚合改性劑，如六甲基二硅氮烷（HMDS）。
在半導(dǎo)體潔凈室中控制相對(duì)濕度不是隨意的。但是，隨著時(shí)間的變化，最好回顧一下常見的被普遍接受的實(shí)踐的原因和基礎(chǔ)。到目前為止，在半導(dǎo)體潔凈室中最迫切需要適度控制的是光刻膠的敏感性。由于光刻膠對(duì)相對(duì)濕度極為敏感的特性，它對(duì)相對(duì)濕度的控制范圍的要求是最嚴(yán)格的。
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